Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF9Z34NSTRRPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF9Z34NS
IRF9Z34NSTRRPBF Hakkında
IRF9Z34NSTRRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source voltaj kapasitesi ve 19A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı voltajında 100mOhm on-direnç değerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Güç iletkeni uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve yük kontrolü için kullanılır. Gate charge değeri 35nC olup, hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 68W güç dağıtımı kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok