Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF9Z34NSTRR
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF9Z34N
IRF9Z34NSTRR Hakkında
IRF9Z34NSTRR, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 100mΩ RDS(on) değeri ile minimum enerji kaybı sağlar. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uyumludur. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, power management, anahtarlama devreleri, DC-DC konverterleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 35nC gate charge ve düşük input kapasitesi ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok