Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF9Z34NLPBF
MOSFET P-CH 55V 19A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF9Z34N
IRF9Z34NLPBF Hakkında
IRF9Z34NLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source voltaj ve 19A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 paketinde sunulan bu transistör, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü voltajında 100mOhm rödsüstü ile karakterizedir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. İçerik endüstri uygulamaları, enerji yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 35nC gate yükü ve 620pF giriş kapasitesi ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Bileşen mevcut üretimde bulunmamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok