Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9Z30PBF-BE3

MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF9Z30

IRF9Z30PBF-BE3 Hakkında

IRF9Z30PBF-BE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 50V drain-source gerilim ve 18A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş gerilimiyle 140mΩ maksimum on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 74W güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve yük yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Through-hole montajı ile PCB tasarımında kolay entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 9.3A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok