Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9Z30

MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF9Z30

IRF9Z30 Hakkında

IRF9Z30, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220AB kapsülde sunulan bu bileşen, 50V drain-source gerilimi ve 18A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 140mOhm maksimum on-state direnci (RDS(on)) ile düşük kayıp uygulamalar için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi devreleri, elektronik anahtarlar, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 39nC gate charge ve 900pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine imkan tanır. Maksimum 74W güç tüketimi kapasitesi bulunmaktadır. Bileşen halen üretilmekle birlikte, teknik destek için üretici datasheet'i referans alınmalıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 9.3A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok