Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9Z24STRRPBF

MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF9Z24S

IRF9Z24STRRPBF Hakkında

IRF9Z24STRRPBF, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 60V drain-source gerilim ve 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve ters polarlı yüksek akım anahtarlamaları gibi alanlarda kullanılır. 3.7W Ta ve 60W Tc maksimum güç tüketimi parametreleri ile yüksek akım uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.6A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok