Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9Z24STRR

MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF9Z24S

IRF9Z24STRR Hakkında

IRF9Z24STRR, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 175°C arasında) sayesinde endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, özellikle güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama regülatörü devrelerinde tercih edilir. 280mOhm maksimum RDS(on) değeri ve düşük gate charge karakteristikleri verimli anahtarlama performansı sağlar. Not: Bu ürün üretim dışı statüde bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.6A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok