Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9Z24STRL

MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF9Z24S

IRF9Z24STRL Hakkında

IRF9Z24STRL, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirir. 280mΩ maksimum kanal direnci (Rds On) ile enerji kaybı minimize edilir. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Motor kontrol devreleri, güç yönetimi, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 19nC gate yükü ve 570pF input kapasitanası ile hızlı komütasyon sağlar. Kompakt tasarımı yüksek yoğunluklu PCB uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.6A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok