Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF9Z24NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF9Z24NS
IRF9Z24NSTRLPBF Hakkında
IRF9Z24NSTRLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve invertör tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürücü geriliminde 175mOhm RDS(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri vardır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Yüksek frekans PWM uygulamaları ve analog anahtar tasarımlarında uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 7.2A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok