Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9Z24NSTRL

MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF9Z24NS

IRF9Z24NSTRL Hakkında

IRF9Z24NSTRL, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, D²PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 175mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, motor sürücüsü, anahtar uygulamaları ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 19nC gate charge ve 350pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Bileşen şu anda kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 7.2A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok