Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF9Z24NLPBF
MOSFET P-CH 55V 12A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF9Z24NL
IRF9Z24NLPBF Hakkında
IRF9Z24NLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. TO-262 paketinde sunulan bu bileşen, 55V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 175mΩ maksimum RDS(ON) direncine sahip olup, anahtarlama ve doğrultma devrelerinde, güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 45W (Tc) güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Bileşen şu anda üretim dışı (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 7.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok