Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9Z24

MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF9Z24

IRF9Z24 Hakkında

IRF9Z24, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. TO-220AB paket formatında sunulan bu bileşen, 60V dren-kaynak gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 280mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir. 10V gate sürücü geriliminde çalışarak, güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, elektronik anahtarlar ve güç amplifikatörlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında ve maksimum 60W güç dağıtımı kapasitesinde güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.6A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok