Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF9Z20PBF
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF9Z20P
IRF9Z20PBF Hakkında
IRF9Z20PBF, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source gerilimi ve 9.7A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 40W güç dağılımına dayanabilir. 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. Gate charge değeri 26nC olup, bu da hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Güç elektroniği uygulamaları, anahtarlamaya dayalı devrelerde, motor sürücüleri ve gerilim düzenleyici tasarımlarında yaygın şekilde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok