Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF9Z10PBF
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF9Z10P
IRF9Z10PBF Hakkında
IRF9Z10PBF, Vishay tarafından üretilen P-kanal MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss), 6.7A sürekli drain akımı ve 500mΩ maksimum on-direnç (10V, 4A şartlarında) kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi, 12nC gate yükü ve geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yer alır. Güç disipasyonu 43W'dır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok