Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9632

P-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF9632

IRF9632 Hakkında

IRF9632, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim (Vdss) ve 5.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürücü geriliminde 1.2Ω'luk düşük on-direnç (Rds(on)) ile verimli güç kontrolü sağlar. Maksimum 75W güç yayılımına ve -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygundur. Gate yükü 45nC ve input kapasitesi 550pF'dir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve düşük-yan taraflı switch tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok