Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9622

P-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF9622

IRF9622 Hakkında

IRF9622, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygun bir yariiletken bileşendir. TO-220-3 paketinde sunulan bu MOSFET, anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 2.4Ω maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışan IRF9622, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok