Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9610SPBF

MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF9610S

IRF9610SPBF Hakkında

IRF9610SPBF, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim aralığında 1.8A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 3Ω maksimum RDS(ON) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Gate charge 11nC ve input kapasitans 170pF'dir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, pil şarj kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. TTL/CMOS uyumlu ±20V gate gerilimi denetleme özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 900mA, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok