Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9610S

MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF9610S

IRF9610S Hakkında

IRF9610S, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 1.8A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V drive voltajında 3Ω maksimum Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Düşük gate charge (11nC @ 10V) ve düşük input kapasitansı (170pF @ 25V) özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç yönetimi, DC-DC konverterler, load switching ve analog anahtarlama devrelerinde kullanılır. Maksimum 20W güç tüketimi (Tc) ile termal yönetim gerektiren uygulamalara uygundur. Pil yönetim sistemleri, invertörler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 900mA, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok