Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9610PBF-BE3

MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF9610

IRF9610PBF-BE3 Hakkında

IRF9610PBF-BE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltaj kapasitesi ve 1.8A sürekli drain akımı ile medium güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3Ω on-resistance değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-220-3 paketinde gelen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama düzenleyicileri ve genel amaçlı switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 900mA, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok