Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9533

P-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF9533

IRF9533 Hakkında

IRF9533, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilim (Vdss) ve 10A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 75W maksimum güç dağılımı ile düşük RDS(on) değeri (400mΩ @ 6.5A, 10V) sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. TO-220-3 paket tipi ile through-hole montajına uygun olup, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC/DC dönüştürücülerde kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile çeşitli kontrol devrelerine entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok