Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF9530NSTRR
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF9530
IRF9530NSTRR Hakkında
IRF9530NSTRR, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında 14A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü voltajında 200mΩ on-state direnci ile karakterizedir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen IRF9530NSTRR, genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında, düşük ve orta güç seviyesi devrelerde, invertör tasarımlarında ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 58nC gate charge ve 760pF input kapasitansi değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. 3.8W (Ta) ve 79W (Tc) maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 8.4A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok