Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF9530NSPBF
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF9530
IRF9530NSPBF Hakkında
IRF9530NSPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 14A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtar devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 200mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ve 3.8W güç tüketimi ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 10V gate sürüş voltajında optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 8.4A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok