Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9522

P-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF9522

IRF9522 Hakkında

IRF9522, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V gate sürüş geriliminde 800mΩ on-direnç değerine sahip olup, 40W'a kadar güç saçabilir. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve yük kontrol uygulamalarında yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok