Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF9520NSTRR
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF9520NS
IRF9520NSTRR Hakkında
IRF9520NSTRR, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 100V dren-kaynak gerilim (Vdss) ile 6.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 480mOhm (10V, 4A) on-resistance değeri ile açma-kapama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve anahtarlama işlemlerinde kullanılır. 27nC gate charge ve 350pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 3.8W (Ta) güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok