Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF9520NS
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF9520
IRF9520NS Hakkında
IRF9520NS, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 6.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 480mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında devreye alma/kapama kontrol, güç dağıtımı ve ters polarite koruması gibi işlevlerde tercih edilir. 27nC gate charge ve 350pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok