Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF9512
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF9512
IRF9512 Hakkında
IRF9512, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajına ve 2.5A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220 paketinde sunulan IRF9512, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. 1.6Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 20W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok