Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9511

P-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF9511

IRF9511 Hakkında

IRF9511, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilim ve 3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 1.2Ω on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gaz anahtarlama uygulamaları, anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve gerilim düzenleyici uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve TO-220-3 paketinde sunulur. 10V kapı kontrol gerilimi ile etkili şekilde anahtarlanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok