Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9510STRR

MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF9510

IRF9510STRR Hakkında

IRF9510STRR, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 4A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) yüzeye monte paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve inverter tasarımlarında kullanılır. 10V gate sürüşü ile maksimum 1.2Ω drain-source direnci sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 3.7W (Ta) güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Düşük gate kapasitesi (200pF @ 25V) hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. Lojik seviyeleri kontrol eden devreler için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok