Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9510SPBF

MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF9510

IRF9510SPBF Hakkında

IRF9510SPBF, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 4A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, D²Pak (TO-263) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 1.2Ω maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 43W güç dağıtım kapasitesi ile tasarlanmıştır. Gate gerilim aralığı ±20V olan cihaz, tümleştirici devreler, güç anahtarlaması uygulamaları, invertör devreleri ve düşük akım seviyesinde pnp transistör yedeği olarak kullanılır. 8.7nC gate yükü ve 200pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok