Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9510R4941

P-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF9510

IRF9510R4941 Hakkında

IRF9510R4941, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketlemesi ile Through-Hole montajına uygundur. 1.2Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate gerilimi toleransı ile esnek kontrol özellikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok