Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF9510PBF-BE3
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF9510
IRF9510PBF-BE3 Hakkında
IRF9510PBF-BE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 4A sürekli drenaj akımını destekler. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 1.2Ω açık kanal direnci (Rds(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 43W güç üreten bu MOSFET, inverter devreleri, güç denetim sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate kapasitesi 200pF ve gate yükü 8.7nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok