Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9510PBF

MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF9510

IRF9510PBF Hakkında

IRF9510PBF, Vishay tarafından üretilen P-Channel Metal Oxide MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 4A sürekli akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı gerilimi altında 1.2Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklığı aralığında, 43W güç dağıtım yeteneği ile hassas anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. 8.7nC gate charge ve 200pF input capacitance değerleri ile hızlı komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok