Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9335PBF

AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF9335

IRF9335PBF Hakkında

IRF9335PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen automotive sınıfı P-Channel HEXFET güç MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 5.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, anahtarlama ve düzenleme uygulamalarında kullanılır. 59mΩ maksimum on-direnci (10V gate voltajında) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında otomotiv ve endüstriyel sistemlerde anahtarlama, motor kontrolü, güç dağıtımı ve batarya yönetimi gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface mount 8-SO paket tipi ile kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 386 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 5.4A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 10µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok