Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9333TRPBF

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF9333

IRF9333TRPBF Hakkında

IRF9333TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9.2A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, düşük on-state direnci (RDS On) ile karakterize edilmiştir. 8-SO surface mount paketinde sunulan transistör, güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devreleri, batarya yönetim sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Maksimum 38nC gate yükü ve 1110pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.4mOhm @ 9.2A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok