Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF9333PBF

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF9333

IRF9333PBF Hakkında

IRF9333PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen bir P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9.2A sürekli drenaj akımı ile çalışabilen bu bileşen, güç anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 8-SO yüzey montajlı pakette sunulan transistör, düşük on-dirençi (19.4mOhm @ 10V) sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. Maksimum 2.5W güç tüketimi kapasitesine sahip olan IRF9333PBF, pil yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi, geniş sıcaklık aralığında kullanımı mümkün kılar. Not: Bu ürün Digi-Key'de üretim durdurulmuş durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.4mOhm @ 9.2A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok