Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF8788PBF
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF8788
IRF8788PBF Hakkında
IRF8788PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-kanallı Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 30V Drain-Source gerilimi ve 24A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 2.8mΩ (10V, 24A şartlarında) oldukça düşük on-state direnç değeriyle kullanıcılara tasarruflu çalışma ortamı sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sunarak, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 66nC @ 4.5V gate charge ve 5720pF @ 15V input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5720 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok