Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF8707PBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF8707

IRF8707PBF Hakkında

IRF8707PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim, 11A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 11.9mΩ (10V, 11A'de) on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 8-SO paket türünde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, load switching ve genel dijital lojik seviyesi anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 2.5W güç tüketebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok