Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF8707PBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF8707

IRF8707PBF Hakkında

IRF8707PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 11.9mOhm on-resistance değeri sayesinde düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan IRF8707, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 9.3nC gate charge ve 760pF giriş kapasitansı özellikleri hızlı komutasyon kabiliyeti tanımlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok