Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF8707GPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF8707

IRF8707GPBF Hakkında

IRF8707GPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 11A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya uygun bir komponenttir. 8SO surface mount paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 2.5W güç tüketimi ve 11.9mOhm (10V Vgs'te) on-resistance değeriyle düşük ısıl kayıp sağlar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Gate charge 9.3nC (4.5V'ta) olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok