Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF843

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF843

IRF843 Hakkında

IRF843, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 450V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 1.1Ω maksimum On-direnci (10V gate geriliminde 4.4A'de) ile verimli güç yönetimi sağlar. 125W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahip olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 63nC ve giriş kapasitansi 1225pF olarak belirtilmiştir. Anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motorlar kontrol ve invärter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1225 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 4.4A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok