Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF841
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF841
IRF841 Hakkında
IRF841, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 450V drain-source gerilim dayanımı ve 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 125W maksimum güç tüketimi ve 850mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Gate uyarma gerilimi maksimum ±20V olan bu bileşen, Motor kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve elektriksel yük anahtarlamalarında yaygın olarak uygulanır. TO-220-3 paketinde sunulan IRF841, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklıkları destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 450 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1225 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok