Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF840STRR

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF840

IRF840STRR Hakkında

IRF840STRR, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulur. 10V gate sürücü geriliminde 850mOhm On-Resistance değerine ulaşır. Gate charge 63nC olup 1300pF input kapasitansına sahiptir. -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan yüksek gerilim MOSFET'tir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4.8A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok