Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF840S

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF840S

IRF840S Hakkında

IRF840S, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımına uygun şekilde tasarlanmıştır. 850mOhm maksimum gate-source direnci ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, dönergeç (boost) konvertörleri ve koruma devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum 125W güç dağılımı kapasitesi sayesinde endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında işlem görebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4.8A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok