Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF840LPBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF840
IRF840LPBF Hakkında
IRF840LPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken elemandır. TO-263AB (D²Pak) paket türünde sunulan bu bileşen, 850mOhm maximum on-resistance değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol, inverter devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında 125W güç dağıtabilme kapasitesi bulunmaktadır. 10V gate drive gerilimi ile kontrol edilen bu MOSFET, hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük kapı şarj gereksinimi (63nC @ 10V) sayesinde enerji tasarruflu uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4.8A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok