Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF840BPBF

MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF840

IRF840BPBF Hakkında

IRF840BPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 8.7A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 850mΩ (10V, 4A) on-resistance değerine sahiptir. Güç MOSFET olarak tasarlanan IRF840BPBF, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, inverterler ve DC-DC dönüştürücülerde sıkça yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 156W maksimum güç dağılımı kapasitesi olan bu transistör, endüstriyel ve ticari uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 527 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok