Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF840ASTRRPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF840
IRF840ASTRRPBF Hakkında
IRF840ASTRRPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 8A sürekli drain akımı ve 10V gate sürüş geriliminde 850mΩ RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde düşük kayıp sağlar. Gate yükü 38nC olarak belirlenmiştir. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Güç kaynağı kontrol, motor sürücü, güç dönüştürücü ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1018 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4.8A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok