Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF840

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF840

IRF840 Hakkında

IRF840, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve AC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 850mΩ maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını sınırlandırır. Maksimum 125W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilir. Yaşlı tasarımlar ve uyumluluğu gereken uygulamalarda alternatif bileşen arayışında tercih edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4.8A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok