Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF840
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF840
IRF840 Hakkında
IRF840, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 8A sürekli dren akımı (Id) ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç elektroniği devrelerinde anahtar elemanı olarak kullanılır. 10V drive voltajında 850mOhm maksimum kaynak-dren direnci (RDS on) ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan IRF840, enerji dönüştürme sistemlerinde, inverterlerde ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde uygulanır. 125W maksimum güç tüketimi ile tasarlanan bileşen, endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygundur. Bileşen güncel üretimde olmayıp, eski envanterlerde bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok