Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF8327STR1PBF

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF8327

IRF8327STR1PBF Hakkında

IRF8327STR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 14A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile tasarlanmıştır. DirectFET™ Isometric SQ paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (7.3mOhm @ 14A, 10V) ve hızlı anahtarlama özellikleri ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Anahtarlamalı güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve yük anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 42W güç dağılım kapasitesi (Tc) ile entegre uygulamalarda önemli rol oynar. Bileşen eski ürün statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric SQ
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ SQ
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok