Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF831

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF831

IRF831 Hakkında

IRF831, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 450V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli dren akımı ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.5Ω on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrolü, dc-dc konvertörler ve elektriksel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok